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CNZ1111

更新时间： 2024-11-08 22:28:35
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松下 - PANASONIC /
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3页 57K
描述
Photo Interrupters

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CNZ1111 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：PISTR104-010, 4 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V
配置：SINGLE最大暗电源：200 nA
最大正向电流：0.05 A间隙大小：5 mm
安装特点：THROUGH HOLE MOUNT功能数量：1
最大通态电压：30 V标称通态集电极电流：0.3 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH输出电路类型：Transistor
标称槽宽：5 mm表面贴装：NO

CNZ1111 数据手册

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Transmissive Photosensors (Photo Interrupters)  
CNZ1111,CNZ1112  
Photo Interrupters  
Unit : mm  
CNZ1111  
0.45±0.1  
For contactless SW, object detection  
Overview  
Mark for indicating  
LED side  
CNZ1111 and CNZ1112 are a photocoupler in which a high  
efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light  
emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as  
the light detecting element. The two elements are arranged so as to  
face each other, and objects passing between them are detected.  
25.0±0.35  
13.0±0.3  
5.0±0.2  
A
0.45±0.1  
Device  
center  
A'  
2-0.45±0.2  
(2.54)  
SEC. A-A'  
(10.0)  
Features  
Highly precise position detection : 0.3 mm  
3
19.0±0.2  
2
2-ø3.2±0.2  
2
3
4
Wide gap between emitting and detecting elements, suitable for  
thick plate detection  
1
4
1
Pin connection  
Fast response : tr, tf = 6 µs (typ.)  
(Note) ( ) Dimension is reference  
Small output current variation against change in temperature  
Unit : mm  
CNZ1112  
0.45±0.1  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)  
Parameter  
Symbol Ratings Unit  
Reverse voltage (DC)  
Forward current (DC)  
Power dissipation  
Collector current  
VR  
3
50  
75  
20  
30  
5
V
mA  
mW  
mA  
V
Mark for indicating  
LED side  
Input (Light  
IF  
emitting diode)  
13.0±0.3  
*1  
PD  
IC  
5.0±0.2  
A
0.45±0.1  
Device  
center  
Collector to emitter voltage VCEO  
Output (Photo  
transistor)  
A'  
2-0.45±0.2  
Emitter to collector voltage VECO  
V
(10.0)  
(2.54)  
*2  
Collector power dissipation PC  
100  
mW  
SEC. A-A'  
3
2
1
Operating ambient temperature  
Topr –25 to +85 ˚C  
Temperature  
Storage temperature  
Tstg –30 to +100 ˚C  
*1 Input power derating ratio is 1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.  
*2 Output power derating ratio is 1.33 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.  
4
2
1
3
4
Pin connection  
(Note) ( ) Dimension is reference  
1
123

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