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CMPDM202PH

更新时间： 2024-02-03 11:06:06
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 343K
描述
SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

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CMPDM202PH 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES

CMPDM202PH 数据手册

 浏览型号CMPDM202PH的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM202PH  
SURFACE MOUNT  
P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM202PH  
is a High Current P-Channel Enhancement-mode  
Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel  
DMOS Process, and is designed for high speed pulsed  
amplifier and driver applications. This MOSFET offers  
High Current, Low r  
and Low Leakage Current.  
, Low Threshold Voltage,  
DS(ON)  
MARKING CODE: 202C  
SOT-23F CASE  
FEATURES:  
APPLICATIONS:  
Low r  
(0.093Ω MAX @ V =2.5V)  
GS  
•
Load/Power switches  
DS(ON)  
•
•
•
Power supply converter circuits  
Battery powered portable equipment  
High current (I =2.3A)  
Logic level compatibility  
•
•
D
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
20  
12  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
GS  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Power Dissipation  
I
2.3  
D
I
9.2  
A
DM  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-55 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=12V, V =0  
100  
nA  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
I
=20V, V =0  
GS  
1.0  
μA  
V
DSS  
BV  
=0, I =250μA  
20  
DSS  
GS(th)  
D
V
=V , I =250μA  
0.6  
1.4  
V
GS DS  
D
r
r
=5.0V, I =1.2A  
0.064  
0.072  
15  
0.088  
0.093  
Ω
DS(ON)  
GS  
GS  
DS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =1.2A  
Ω
DS(ON)  
D
g
=5.0V, I =2.3A  
S
FS  
D
C
C
C
=10V, V =0, f=1.0MHz  
110  
880  
210  
8.0  
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
rss  
iss  
GS  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
Q
Q
Q
=10V, V =5.0V, I =2.3A  
GS  
12  
2.0  
3.5  
g(tot)  
gs  
D
=10V, V =5.0V, I =2.3A  
1.3  
GS  
D
=10V, V =5.0V, I =2.3A  
2.3  
gd  
GS  
D
t
t
=10V, I =2.3A, R =10Ω  
15.2  
27.6  
on  
off  
D
G
=10V, I =2.3A, R =10Ω  
D
G
R0 (21-October 2010)  
12

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