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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CMPDM302PHTIN/LEAD#N/A
CMPDM302PHTIN/LEAD#N/A PDF预览

CMPDM302PHTIN/LEAD#N/A

更新时间： 2024-01-02 10:46:14
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 343K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor,

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CMPDM302PHTIN/LEAD#N/A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Base Number Matches：1

CMPDM302PHTIN/LEAD#N/A 数据手册

 浏览型号CMPDM302PHTIN/LEAD#N/A的Datasheet PDF文件第2页 
CMPDM302PH  
SURFACE MOUNT  
P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPDM302PH  
is a High Current P-Channel Enhancement-mode  
Silicon MOSFET, manufactured by the P-Channel  
DMOS Process, and is designed for high speed pulsed  
amplifier and driver applications. This MOSFET offers  
High Current, Low r  
and Low Leakage Current.  
, Low Threshold Voltage,  
DS(ON)  
MARKING CODE: 302C  
SOT-23F CASE  
FEATURES:  
APPLICATIONS:  
Low r  
(0.129Ω MAX @ V =2.5V)  
GS  
•
Load/Power switches  
DS(ON)  
•
•
•
Power supply converter circuits  
Battery powered portable equipment  
High current (I =2.4A)  
Logic level compatibility  
•
•
D
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
V
30  
12  
DS  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
GS  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Power Dissipation  
I
2.4  
D
I
9.6  
A
DM  
P
350  
mW  
°C  
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-55 to +150  
357  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=12V, V =0  
100  
nA  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
I
=20V, V =0  
GS  
1.0  
μA  
V
DSS  
BV  
=0, I =250μA  
30  
DSS  
GS(th)  
D
V
=V , I =250μA  
0.7  
1.4  
V
GS DS  
D
r
r
=4.5V, I =1.2A  
0.061  
0.086  
13.2  
46  
0.091  
0.129  
Ω
DS(ON)  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
DD  
DD  
DD  
D
=2.5V, I =1.2A  
Ω
DS(ON)  
D
g
=5.0V, I =2.4A  
S
FS  
D
C
C
C
=10V, V =0, f=1.0MHz  
pF  
pF  
pF  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
rss  
iss  
GS  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
398  
82  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
oss  
GS  
Q
Q
Q
=10V, V =5.0V, I =2.4A  
GS  
6.4  
9.6  
4.2  
2.6  
g(tot)  
gs  
D
=10V, V =5.0V, I =2.4A  
2.8  
GS  
D
=10V, V =5.0V, I =2.4A  
1.7  
gd  
GS  
D
t
t
=10V, I =2.4A, R =10Ω  
16.3  
12.9  
on  
off  
D
G
=10V, I =2.4A, R =10Ω  
D
G
R0 (21-October 2010)  
12

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