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CMDP-65698V-35

更新时间: 2024-01-30 23:27:11
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 397K
描述
x4 SRAM

CMDP-65698V-35 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
最长访问时间:35 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDFP-F28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DFP封装等效代码:FL28(UNSPEC)
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.000003 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

CMDP-65698V-35 数据手册

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