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CMDP-65698V-45

更新时间: 2024-02-03 13:58:47
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 397K
描述
x4 SRAM

CMDP-65698V-45 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDFP-F28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DFP
封装等效代码:FL28(UNSPEC)封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000003 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CMDP-65698V-45 数据手册

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