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CMDD6001BKLEADFREE

更新时间： 2024-11-01 21:05:15

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CENTRAL		二极管
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描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM),

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CMDD6001BKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.38
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.85 V	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.25 A	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	3 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

CMDD6001BKLEADFREE 数据手册

CMDD6001

www.centralsemi.com

SURFACE MOUNT

ULTRA LOW LEAKAGE

SILICON SWITCHING DIODE

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDD6001 type is

a silicon switching diode manufactured by the epitaxial

planar process, epoxy molded in a SUPERmini surface

mount package, designed for switching applications

requiring a extremely low leakage diode.

MARKING CODE: C61

SOD-323 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Continuous Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Continuous Forward Current

100

RRM

250

Peak Repetitive Forward Current

Peak Forward Surge Current, tp=1.0μs

Peak Forward Surge Current, tp=1.0s

Power Dissipation

250

FRM

4.0

FSM

1.0

250

°C

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

-65 to +150

500

stg

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =75V

MIN

MAX

500

UNITS

I =100μA

100

I =1.0mA

0.85

0.95

1.1

I =10mA

I =100mA

V =0, f=1.0MHz

2.0

μs

I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω

3.0

R5 (9-May 2011)

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