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CM8888-2

更新时间： 2024-02-04 04:20:00
品牌 Logo 应用领域
CALMIRCO /
页数 文件大小 规格书
13页 322K
描述
CMOS INTEGRATED DTMF TRANCEIVER

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CM8888-2 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：20
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.82Is Samacsys：N
JESD-30 代码：R-PDSO-G20长度：12.905 mm
功能数量：1端子数量：20
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.85 mm
最大压摆率：10 mA标称供电电压：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
电信集成电路类型：DTMF SIGNALING CIRCUIT温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：7.635 mm
Base Number Matches：1

CM8888-2 数据手册

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CALIFORNIA MICRO DEVICES  
CM8888/8888-2  
Absolute Maximum Ratings: (See Note)  
This device contains input protection  
A B S O LU TE M A X IM U M R A TIN G S  
against damage due to high static voltages  
or electric fields; however, precautions  
should be taken to avoid application of  
voltages higher than the maximum rating.  
Param eter  
Sym bol  
Value  
Power Supply Voltage  
(VDD-VSS)  
VDD  
6.0V Max  
Voltage on any Pin  
Current on any Pin  
Operating Temperature  
Storage Temperature  
Vdc  
IDD  
TA  
-0.3V to VDD+ 0.3V  
10mA Max  
Note:  
Exceeding these ratings may cause  
permanent damage, functional  
operation under these conditions is  
not implied.  
-40°C to + 85°C  
-65°C to + 150°C  
TS  
DC Characteristics: All voltages referenced to VSS, VDD = 5.0V + 5%,  
fc = 3.579545 MHz, TA = -40°C to +85°C unless otherwise noted.  
D C C H A R A C TE R IS TIC S  
Param eter  
Sym bol  
Min  
Typ*  
5.0  
Max  
Units  
V
Operating Supply Voltage  
Operating Supply Current  
Power Consumption  
V
4.75  
5.25  
DD  
I
10  
mA  
mΩ  
DD  
P
52.5  
O
Inputs  
High Level Input Voltage OSCI  
Low Level Input Voltage OSCI  
Input Impedance, (@ 1KHz) IN+ IN-  
V
3.5  
V
V
IHO  
V
1.5  
2.5  
ILO  
R
10.0  
2.3  
MΩ  
V
IN  
Steering Threshold Voltage (V = 5.0V)  
V
2.2  
4.9  
DD  
Tst  
Outputs  
High Level Output Voltage (No Load) OSC2  
Low Level Output Voltage (No Load) OSC2  
V
V
OHO  
V
0.1  
10.0  
2.7  
V
µA  
V
OLO  
Output Leakage Current (V = 2..4V) IRQ  
I
1.0  
OH  
OZ  
V
Output Voltage (No Load)  
Output Resistance  
V
2.4  
REF  
REF  
V
R
1
KΩ  
REF  
OR  
Data Bus (DO-D3, RD, WR, RSO, CS)  
Low Level Input Voltage  
V
0.8  
0.4  
V
V
IL  
High Level Input Voltage  
V
2.0  
2.4  
IH  
Low Level Output Voltage (I = 1.6mA)  
V
V
OL  
OL  
High Level Input Voltage (I = 400µA)  
V
V
OH  
OH  
Input Leakage Current (V = 0.4 to 2.4V) I  
I
10.0  
µA  
IN  
IZ  
Operating Characteristics - Gain Setting Amplifier: All voltages referenced to VSS, VDD = 5.0V + 5%,  
fc = 3.579545 MHz, TA = -40°C to +85°C unless otherwise noted.  
O P E R A TIN G C H A R A C TE R IS TIC S  
Param eter  
Sym bol  
Min  
Typ  
100  
10  
Max  
Units  
nA  
Input Leakage Current( VSS < V < VDD  
)
I
IN  
IN  
Input Resistance  
R
MΩ  
mV  
dB  
IN  
Input Offset Voltage  
VOS  
PSRR  
CMRR  
AVOL  
BW  
25  
Power Supply Rejection (1 KHz)  
60  
Common Mode Rejection(-3.0V < V < 3.0V)  
60  
dB  
IN  
DC Open Loop Voltage Gain  
Unity Gain Bandwidth  
65  
dB  
1.5  
4.5  
100  
50  
MHz  
Vpp  
pF  
Output Voltage Swing ( RL> 100KΩ to VSS)  
Maximum Capacitive Load (GS)  
Maximum Resistive Load (GS)  
VO  
CL  
RL  
KΩ  
Common Mode Range (No Load)  
©2000 California Micro Devices Corp. All rights reserved.  
Vcm  
3.0  
Vpp  
5/00  
215 Topaz Street, Milpitas, California 95035  
Tel: (408) 263-3214  
Fax: (408) 263-7846  
www.calmicro.com  
2
1234567...13

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