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CM3N40C

更新时间： 2024-11-12 15:18:55

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晶导 - JINGDAO		/
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11页	878K
描述
TO-251S/252S

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CM3N40C 数据手册

CM3N40C

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

POWER MOSFET

1、主要参数 Main Characteristics

2、用途 Applications

V_DSS

I_D

400



高频开关电源 High frequency switching mode

P_D

power supply

R_DSON(TYP)

4.8



电子镇流器 Electronic ballast

UPS 电源 Uninterruptible Power Supply

PFC 功率因数校正 Power Factor Correction

大功率开关电源 High power switching power supply

电焊机控制 Control of electric welding machine

3、产品特性 Features

TO-251S

TO-252S



低栅极电荷 Low gate charge

1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)

低 Crss (典型值 4.5pF) Low Crss (typical 4.5pF )

开关速度快 Fast switching speed

产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested

高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability

RoHS 产品 RoHS product

4．电特性 Electrical Characteristics

4.1极限值 Absolute Ratings (T_C= 25℃)

参数名称 Parameter

漏极-源极电压

符号 Symbol

额定值 Value

单位 Unit

V_DSS

400

Drain-Source Voltage

T_C= 25 °C

连续漏极电流

I_D

I_DM

Drain Current -continuous

最大脉冲漏极电流（注 1）

Drain Current - pulse（note 1）

栅源电压

T_C= 100 °C

1.8

±30

V_GS

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注 2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

雪崩电流（注 1）

E_AS

I_AR

1.2

Avalanche Current（note 1）

重复雪崩能量（注 1）

E_AR

6.4

V/ns

Repetitive Avalanche Energy （note 1）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

耗散功率

dv/dt

P_D

5.0

Power Dissipation

栅极-源极 ESD

V_ESD(G-S)

T_j，T_stg

4000

Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5kΩ)

结温，贮存温度

150，-55～150

℃

Operating and Storage Temperature Range

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

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