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CM3N40T

更新时间： 2024-11-12 15:19:35

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晶导 - JINGDAO		/
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SOT23-3

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CM3N40T 数据手册

3N40TS

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

POWER MOSFET

1、主要参数 Main Characteristics

2、用途 Applications

V_DSS

I_D

400



高频开关电源 High frequency switching mode

P_D

1.25

4.8

power supply

R_DSON(TYP)



电子镇流器 Electronic ballast

UPS 电源 Uninterruptible Power Supply

PFC 功率因数校正 Power Factor Correction

大功率开关电源 High power switching power supply

电焊机控制 Control of electric welding machine

3、产品特性 Features



低栅极电荷 Low gate charge

低 Crss (典型值 4.5pF) Low Crss (typical 4.5pF )

开关速度快 Fast switching speed

1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)

产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested

高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability

RoHS 产品 RoHS product

4．电特性 Electrical Characteristics

4.1极限值 Absolute Ratings (T_C= 25℃)

参数名称 Parameter

漏极-源极电压

符号 Symbol

额定值 Value

单位 Unit

V_DSS

400

Drain-Source Voltage

T_C= 25 °C

连续漏极电流

I_D

I_DM

Drain Current -continuous

最大脉冲漏极电流（注 1）

Drain Current - pulse（note 1）

栅源电压

T_C= 100 °C

1.8

±30

V_GS

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注 2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

雪崩电流（注 1）

E_AS

I_AR

1.2

Avalanche Current（note 1）

重复雪崩能量（注 1）

E_AR

6.4

V/ns

Repetitive Avalanche Energy （note 1）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

耗散功率

dv/dt

P_D

5.0

1.25

4000

Power Dissipation

栅极-源极 ESD

V_ESD(G-S)

T_j，T_stg

Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5kΩ)

结温，贮存温度

150，-55～150

℃

Operating and Storage Temperature Range

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CM3N50C	JINGDAO	获取价格	TO-251S/252S
CM3N80C	JINGDAO	获取价格	TO-251S/252S
CM3N80F	JINGDAO	获取价格	TO-220F
CM3P65890-10	TEMIC	获取价格	Memory IC,
CM3P65890-12	TEMIC	获取价格	Memory IC,
CM3P65898-12	TEMIC	获取价格	Memory IC,
CM3P65899-15	TEMIC	获取价格	Memory IC,
CM3P-67201AL-25	TEMIC	获取价格	FIFO, 512X9, 25ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
CM3P-67201AV-20	TEMIC	获取价格	FIFO, 512X9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
CM3P-67201EV-55	TEMIC	获取价格	FIFO, 512X9, 55ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28,