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CM2400HC-34N

更新时间： 2024-11-18 02:51:55

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制局域网高功率电源
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6页	60K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM2400HC-34N 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.16
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	2400 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	13100 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1500 ns
标称接通时间 (ton)：	1400 ns	VCEsat-Max：	2.8 V
Base Number Matches：	1

CM2400HC-34N 数据手册

MITSUBISHI HVIGBT MODULES

CM2400HC-34N

HIGH POWER SWITCHING USE

4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

INSULATED TYPE

CM2400HC-34N

● IC................................................................ 2400A

● VCES ....................................................... 1700V

● Insulated Type

● 1-element in a Pack

● AISiC Baseplate

● Trench Gate IGBT : CSTBT™

● Soft Reverse Recovery Diode

APPLICATION

Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

130±0.5

4 - M8 NUTS

57±0.25

4(C)

2(C)

3(E)

1(E)

CIRCUIT DIAGRAM

10.35±0.2

3 - M4 NUTS

6 - φ 7 MOUNTING HOLES

10.65±0.2

48.8±0.2

15±0.2

40±0.2

screwing depth

min. 16.5

61.5±0.3

5.2±0.2

18±0.2

screwing depth

min. 7.7

LABEL

HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

Jul. 2005

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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