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CM150N03C

更新时间: 2024-11-19 17:01:47
品牌 Logo 应用领域
晶导 - JINGDAO /
页数 文件大小 规格书
11页 715K
描述
TO-251S/252S

CM150N03C 数据手册

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R
CM150N03C  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
Trench MOSFET  
1、主要参数 Main Characteristics  
2、用途 Applications  
VDSS  
ID  
30  
150  
90  
V
A
PD  
W
直流电动机控制 DC Motor Control  
RDSONTYP  
2.5  
mΩ  
D 类放大器 Class D Amplifier  
UPS 电源 Uninterruptible Power Supply  
电池保护电路 Battery protection circuit  
大功率开关电源 High power switching power supply  
3、产品特性 Features  
沟槽工艺 MOSFET Trench FET Power MOSFET  
低栅极电荷 Low gate charge  
Crss (典型值 300pF) Low Crss (typical 300pF )  
通态电阻低 Low ON Resistance  
1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)  
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested  
RoHS 产品 RoHS product  
4电特性 Electrical Characteristics  
4.1极限值 Absolute Ratings (TC = 25)  
参 数 名 称 Parameter  
漏极-源极电压  
符号 Symbol  
额定值 Value  
单位 Unit  
VDSS  
30  
V
A
Drain-Source Voltage  
TC = 25 °C  
150  
104  
连续漏极电流  
ID  
IDM  
Drain Current -continuous  
最大脉冲漏极电流(注 1)  
Drain Current - pulsenote 1)  
栅源电压  
TC = 100 °C  
600  
±20  
400  
5.0  
A
VGS  
V
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量(注 2)  
Single Pulsed Avalanche Energynote 2)  
二极管反向恢复最大电压变化速率(注 3)  
Peak Diode Recovery dv/dtnote 3)  
耗散功率  
EAS  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
90  
Power Dissipation  
结温,贮存温度  
TjTstg  
150-55150  
Operating and Storage Temperature Range  
地址:深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 1-3 层  
电话:0755-29799516  
传真:0755-29799515  
1 V04 版  

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