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CM150N03C

更新时间： 2024-09-14 17:01:47

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晶导 - JINGDAO		/
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TO-251S/252S

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CM150N03C 数据手册

CM150N03C

深圳市晶导电子有限公司

ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.

www.jdsemi.cn

Trench MOSFET

1、主要参数 Main Characteristics

2、用途 Applications

V_DSS

I_D

150

P_D



直流电动机控制 DC Motor Control

R_DSONTYP

2.5

mΩ

D 类放大器 Class D Amplifier

UPS 电源 Uninterruptible Power Supply

电池保护电路 Battery protection circuit

大功率开关电源 High power switching power supply

3、产品特性 Features



沟槽工艺 MOSFET Trench FET Power MOSFET

低栅极电荷 Low gate charge

低 Crss (典型值 300pF) Low Crss (typical 300pF )

通态电阻低 Low ON Resistance

1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)

产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested

RoHS 产品 RoHS product

4．电特性 Electrical Characteristics

4.1极限值 Absolute Ratings (T_C= 25℃)

参数名称 Parameter

漏极-源极电压

符号 Symbol

额定值 Value

单位 Unit

V_DSS

Drain-Source Voltage

T_C= 25 °C

150

104

连续漏极电流

I_D

I_DM

Drain Current -continuous

最大脉冲漏极电流（注 1）

Drain Current - pulse（note 1）

栅源电压

T_C= 100 °C

600

±20

400

5.0

V_GS

Gate-Source Voltage

单脉冲雪崩能量（注 2）

Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）

二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）

Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）

耗散功率

E_AS

V/ns

dv/dt

P_D

Power Dissipation

结温，贮存温度

T_j，T_stg

150，-55～150

℃

Operating and Storage Temperature Range

地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层

电话：0755-29799516

传真：0755-29799515

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