是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.87 |
其他特性: | SUPER FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 150 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X19 | 元件数量: | 6 |
端子数量: | 19 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 600 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 300 ns | 标称接通时间 (ton): | 200 ns |
VCEsat-Max: | 2.8 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CM150TJ-12F | POWEREX |
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Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 150 Amperes/6 | |
CM150TL-12NF | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM150TL-12NF | POWEREX |
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Six IGBTMOD NF-Series Module 150 Amperes/600 Volts | |
CM150TL-12NF_09 | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM150TL-12NF_12 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM150TL-24NF | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM150TL-24NF_09 | MITSUBISHI |
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IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM150TL-24NF_12 | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE | |
CM150TU-12F | POWEREX |
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Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 150 Amperes/6 | |
CM150TU-12F | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE |