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CM150TU-12F

更新时间： 2024-11-20 22:08:23

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三菱 - MITSUBISHI		晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网高功率电源
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4页	84K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE

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CM150TU-12F 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.19
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	150 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RTC
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X17
元件数量：	6	端子数量：	17
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	520 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	VCEsat-Max：	2.2 V
Base Number Matches：	1

CM150TU-12F 数据手册

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM150TU-12F

HIGH POWER SWITCHING USE

CM150TU-12F

¡IC ...................................................................150A

¡VCES ............................................................600V

¡Insulated Type

¡6-elements in a pack

APPLICATION

General purpose inverters & Servo controls, etc

OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM

Dimensions in mm

107

4–φ5.5

MOUNTING HOLES

±0.25

(4)

11 14.4

21.7

GuN

EuN

GvN

EvN

GwN

EwN

GuP

EuP

GvP

EvP

GwP

EwP

–0.5

0.8

5–M5NUTS

2.8

21.7 11

Tc measured point

GWP

RTC

LABEL

EWP

GVN

GWN

RTC

EWN

CIRCUIT DIAGRAM

Aug. 1999

12 3 4

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