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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 5e-7 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CL3I-65664V-55SHXXX:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, |
|
| CL3I-65664V-70:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, |
|
| CL3I-65664V-85:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, |
|
| CL3I-65664V-85SHXXX:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, PDIP28, |
|
| CL3I-65756-25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CL3I-65756-25:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28, |
|
| CL3I-65756-35 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CL3I-65756-35:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, |
|
| CL3I-65756-45 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| CL3I-65756-45:D | ATMEL |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, |
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