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CL065764-45:R

更新时间: 2024-11-17 06:55:19
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
Cache SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS,

CL065764-45:R 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:45 ns
JESD-30 代码:X-XUUC-N28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE封装形状:UNSPECIFIED
封装形式:UNCASED CHIP并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

CL065764-45:R 数据手册

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