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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 55 ns |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N28 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIE | 封装形状： | UNSPECIFIED |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CL065764-55:RD | TEMIC |
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Cache SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, |
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| CL066 | MICRO-ELECTRONICS |
获取价格 |
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL COMPLEMENTARY PAIR SPECIALLY DESIGNED FOR 1-WATT AUDIO AMPLIF |
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| CL066-100-GB251Q | RCD |
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Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 250ppm/Cel, |
|
| CL066-105-GB101Q | RCD |
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Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
|
| CL066-131-GB101W | RCD |
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Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
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| CL066-133-GB101 | RCD |
获取价格 |
Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
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| CL066-133-GB101W | RCD |
获取价格 |
Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
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| CL066-134-GB101 | RCD |
获取价格 |
Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
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| CL066-162-GB101W | RCD |
获取价格 |
Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
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| CL066-202-GB101W | RCD |
获取价格 |
Array/Network Resistor, Divider, Metal Glaze/thick Film, 1W, 100V, 2% +/-Tol, 100ppm/Cel, |
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