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CGY0819

更新时间: 2024-11-17 22:28:31
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页数 文件大小 规格书
18页 302K
描述
GaAs MMIC (Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA portable cellular phones Dual band operation)

CGY0819 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.28
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
增益:24 dBJESD-609代码:e0
安装特点:SURFACE MOUNT端子数量:16
最大工作频率:1910 MHz最小工作频率:824 MHz
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:SOP16,.35,32
电源:3.5 V射频/微波设备类型:NARROW BAND MEDIUM POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers表面贴装:YES
技术:GAAS端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)

CGY0819 数据手册

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CGY 0819  
GaAs MMIC  
Tri mode power amplifier for AMPS/ CDMA /TDMA  
portable cellular phones  
Dual band operation  
31.5 dBm saturated output power @ PAE=55% typ.  
29 dBm linear output power@ PAE=40% typ.  
Two independent amplifier chains  
Power ramp control  
Input matched to 50 ohms, simple output match  
on PCB  
ESD: Electrostatic discharge sensitive device,  
observe handling precautions!  
Type  
CGY 0819  
Marking  
Ordering code  
(taped)  
Package  
CGY 0819  
Q62702G0076  
MW 16  
Maximum ratings  
Characteristics  
Symbol  
max. Value  
Unit  
V
Positive supply voltage  
Supply current  
V
9
4
D
I
A
D
Channel temperature  
Storage temperature  
T
T
150  
°C  
°C  
W
Ch  
stg  
-55...+150  
tbd  
Pulse peak power dissipation  
duty cycle 12.5%, ton=0.577ms  
P
Pulse  
P
tbd  
W
Total power dissipation (Ts 80 °C)  
Ts: Temperature at soldering point  
tot  
Thermal Resistance  
Characteristics  
Symbol  
max. Value  
Unit  
Channel-soldering point  
R
11  
K/W  
thChS  
Siemens Aktiengesellschaft  
Semiconductor Group  
1
1
16.09.98  
1998-11-01  
HL HF PE GaAs 1 / Fo  

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