CGY0918

更新时间： 2024-11-29 22:10:39

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描述
GaAs MMIC (Dual band GSM/PCN power amplifier 35dBm / 34dBm output power at 3.5 V Two amplifiers in a single package)

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CGY0918 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	构造：	COMPONENT
增益：	28 dB	JESD-609代码：	e0
安装特点：	SURFACE MOUNT	端子数量：	16
最大工作频率：	1785 MHz	最小工作频率：	880 MHz
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOP16,.35,32
电源：	3.5,-5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

CGY0918 数据手册

CGY 0918

GaAs MMIC

Dual band GSM/PCN power amplifier

35dBm / 34dBm output power at 3.5 V

Two amplifiers in a single package

Power ramp control

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

CGY 0918

Marking

Ordering code

(taped)

Package

CGY 0918

Q62702G0077

MW 16

Maximum ratings

Characteristics

Symbol

max. Value

Unit

Positive supply voltage

Supply current

Channel temperature

Storage temperature

150

°C

stg

-55...+150

tbd

Pulse peak power dissipation

duty cycle 12.5%, ton=0.577ms

Pulse

tbd

Total power dissipation (Ts ≤ 80 °C)

Ts: Temperature at soldering point

tot

Thermal Resistance

Characteristics

Symbol

max. Value

Unit

Channel-soldering point

tbd

K/W

thChS

Siemens Aktiengesellschaft

Semiconductor Group

23.07.98

1998-11-01

HL HF PE GaAs

12 3 4

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