CGY184

更新时间： 2024-11-17 22:28:31

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描述
GaAs MMIC (Power amplifier for PCN applications 2.5 W 34dBm output power at 3.5 V)

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CGY184 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	40 dB
JESD-609代码：	e0	安装特点：	SURFACE MOUNT
端子数量：	16	最高工作温度：	85 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	SOP16,.35,32
电源：	3.5 V	射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	表面贴装：	YES
技术：	GAAS	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压驻波比：	1.8	Base Number Matches：	1

CGY184 数据手册

CGY 184

GaAs MMIC

Preliminary Data

Power amplifier for PCN applications

2.5 W (34dBm) output power at 3.5 V

Overall power added efficiency 43 %

Fully integrated 4 stage amplifier

Power ramp control

Input matched to 50 ohms, simple output match

ESD: Electrostatic discharge sensitive device,

observe handling precautions!

Type

CGY 184

Marking

Ordering code

(taped)

Package ¹⁾

CGY 184

Q62702G62

MW 16

Maximum ratings

Characteristics

Symbol

max. Value

Unit

Positive supply voltage

Supply current

Channel temperature

Storage temperature

Pulse peak power dissipation

150

°C

stg

-55...+150

tbd

Pulse

duty cycle 12.5%, ton=0.577ms

Total power dissipation (Tc ꢀꢁꢂꢃꢁ&ꢄ

Tc: Temperature on case

8.5

tot

Thermal Resistance

Characteristics

Symbol

max. Value

Unit

Junction-Case ²⁾

K/W

≤8.5

thJC

¹⁾Dimensions see page 14

²⁾see also page 9

Siemens Aktiengesellschaft

Semiconductor Group

23.07.97

1998-11-01

HL HF PE GaAs

12 3 4 5 6 7...14

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