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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CFSH2-4LTRPBFREE
CFSH2-4LTRPBFREE PDF预览

CFSH2-4LTRPBFREE

更新时间： 2024-10-26 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 整流二极管肖特基二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 356K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM),

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CFSH2-4LTRPBFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 V最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.2 A最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

CFSH2-4LTRPBFREE 数据手册

 浏览型号CFSH2-4LTRPBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CFSH2-4L  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON SCHOTTKY DIODE  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CFSH2-4L is a  
high quality Schottky Diode designed for applications  
where ultra small size and power dissipation are prime  
requirements. Packaged in a Tiny Leadless Package™  
(TLP™), this component provides performance  
characteristics suitable for the most demanding size  
constrained applications.  
MARKING CODE: N  
SOD-882L CASE  
APPLICATIONS:  
FEATURES:  
• DC / DC Converters  
• Device is Halogen Free by design  
• Voltage Clamping  
• Protection Circuits  
• Battery powered devices including  
Cell Phones, Digital Cameras, Pagers,  
PDAs, Laptop Computers, etc.  
• Current (I =200mA)  
• Low Forward Voltage Drop (V =0.53V TYP @ 200mA)  
• Low Reverse Current (350nA TYP @ 40V)  
• Small TLP™, 1mm x 0.6mm x 0.4mm, ultra low profile,  
Leadless Surface Mount package.  
O
F
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Average Forward Current  
Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms  
Power Dissipation  
V
40  
200  
RRM  
I
mA  
A
O
I
1.0  
FSM  
P
100  
mW  
°C  
D
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
-65 to +125  
-65 to +150  
1000  
J
T
°C  
stg  
Thermal Resistance  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
V =10V  
MIN  
TYP  
MAX  
1.0  
UNITS  
μA  
μA  
V
I
I
0.08  
0.35  
R
R
R
V =40V  
2.0  
R
BV  
I =10μA  
40  
R
R
V
V
V
I =10mA  
0.33  
0.45  
0.52  
0.60  
10  
V
F
F
F
F
I =100mA  
V
F
I =200mA  
0.53  
7.0  
V
F
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
pF  
ns  
T
R
t
I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω  
rr  
5.0  
rr  
F
R
L
R3 (10-December 2010)  
12

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