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CEB04N7G

更新时间： 2024-01-07 07:38:07

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华瑞 - CET		晶体晶体管
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4页	424K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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CEB04N7G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
雪崩能效等级（Eas）：	43 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	700 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	3.3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	20 pF	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	84 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	119 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns

CEB04N7G 数据手册

CEP04N7G/CEB04N7G

CEF04N7G

10²

V_DS=480V

I_D=4A

10¹

10⁰

10^-1

R_DS(ON)Limit

1ms

10ms

100ms

T_C=25 C

T_J=175 C

Single Pulse

10⁰

10¹

10²

10³

Qg, Total Gate Charge (nC)

VDS, Drain-Source Voltage (V)

Figure 7. Gate Charge

Figure 8. Maximum Safe

Operating Area

V^DD

toff

d(off)

d(on)

OUT

V^IN

90%

10%

90%

OUT

VGS

10%

INVERTED

R^GEN

90%

50%

10%

PULSE WIDTH

Figure 10. Switching Waveforms

Figure 9. Switching Test Circuit

10⁰

D=0.5

0.2

0.1

10^-1

0.05

0.02

0.01

PDM

Single Pulse

10^-2

1. Rθ JC (t)=r (t) * Rθ JC

2. Rθ JC=See Datasheet

3. TJM-TC = P* Rθ JC (t)

4. Duty Cycle, D=t1/t2

10^-3

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

Square Wave Pulse Duration (sec)

Figure 11. Normalized Thermal Transient Impedance Curve

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