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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CDSQR400B-HF
CDSQR400B-HF PDF预览

CDSQR400B-HF

更新时间： 2024-11-16 06:47:19
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
4页 192K
描述
SMD Switching Diode

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CDSQR400B-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：1.46
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JESD-30 代码：R-PBCC-N2JESD-609代码：e4
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：260最大功率耗散：0.125 W
最大重复峰值反向电压：90 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Gold (Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

CDSQR400B-HF 数据手册

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SMD Switching Diode  
SMD Diodes Specialist  
(RoHS Device)  
CDSQR400B-HF  
High Speed  
Features  
Halogen free.  
0402(1005)  
0.041(1.05)  
0.037(0.95)  
Designed for mounting on small surface.  
Extremely thin/leadless package.  
Low leakage current.  
0.026(0.65)  
0.022(0.55)  
High mounting capability, strong surge  
withstand, high reliability.  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
Mechanical data  
Case: 0402(1005) standard package,  
0.012(0.30) Typ.  
molded plastic.  
Terminals: Gold plated, solderable per  
MIL-STD-750,method 2026.  
Marking Code: Cathode band & S4  
Mounting position: Any  
0.020(0.50) Typ.  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Weight: 0.001 gram(approx.).  
O
Maximum Rating (at TA=25 C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ  
Max Unit  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Conditions  
Min  
VRRM  
90  
V
Reverse voltage  
VR  
80  
V
Average forward current  
IO  
100  
mA  
8.3 ms single half sine-wave superimposed  
on rate load ( JEDEC method)  
Forward current,surge peak  
IFSM  
1000  
mA  
Repetitive peak forward current  
Power Dissipation  
IFRM  
PD  
225  
125  
mA  
mW  
O
Storage temperature  
TSTG  
Tj  
-55  
+125  
+125  
C
O
Junction temperature  
C
O
Electrical Characteristics (at TA=25 C unless otherwise noted)  
Symbol  
Typ  
Max Unit  
Parameter  
Conditions  
Min  
Forward voltage  
IF = 100 mA DC  
VF  
1.0  
0.1  
3
V
Reverse current  
VR = 80 V  
IR  
uA  
PF  
nS  
Capacitance between terminals  
Reverse recovery time  
f = 1 MHZ,and 0.5VDC reverse voltage  
CT  
Trr  
VR = 6V ,IF =10 mA, RL =50 ohms  
4
REV:B  
Page 1  
QW-G0009  
Comchip Technology CO., LTD.  
1234

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