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CD6299C

更新时间: 2024-11-11 23:14:31
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管蜂窝局域网
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
CELLULAR DIE PACKAGE

CD6299C 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIE
包装说明:O-MEDB-N2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.92
Is Samacsys:N最大击穿电压:165 V
最小击穿电压:135 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MEDB-N2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:121 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:NO LEAD
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CD6299C 数据手册

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