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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PBCY-W4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.3 | 最小击穿电压： | 800 V |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 60 A | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 2 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 800 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CBR2-080LEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon, |
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| CBR2-100 | CENTRAL |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS |
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| CBR2-100LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, |
|
| CBR25-010 | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| CBR25-010LEADFREE | CENTRAL |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 100V V(RRM), Silicon |
|
| CBR25-010P | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON BRIDGE RECTIFIER |
|
| CBR25-010PBLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| CBR25-010PBPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
|
| CBR25-010PLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CBR25-010PPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, |
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