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CBR25-010P

更新时间: 2024-11-30 22:11:07
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页数 文件大小 规格书
2页 85K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIER

CBR25-010P 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete包装说明:S-PUFM-D4
针数:4Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.92Is Samacsys:N
其他特性:UL RECOGNIZED最小击穿电压:100 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:S-PUFM-D4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:350 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CBR25-010P 数据手册

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145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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