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CBR2-080LEADFREE

更新时间： 2024-12-01 20:38:03

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CENTRAL		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	572K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 800V V(RRM), Silicon,

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CBR2-080LEADFREE 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PBCY-W4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.3	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PBCY-W4
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

CBR2-080LEADFREE 数据手册

CBR1 SERIES

CBR2 SERIES

www.centralsemi.com

DESCRIPTION:

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1 and CBR2

series devices are silicon, single phase, full wave bridge

rectifiers designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE A

MAXIMUM RATINGS: (T =50°C)

CBR1 CBR1 CBR1 CBR1

CBR2 CBR2 CBR2 CBR2

CBR1 CBR1

CBR2 CBR2

SYMBOL -010

-020

200

-040

400

-060

600

-080

800

-100 UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

1000

700

RRM

200

140

400

280

600

420

800

560

RMS Reverse Voltage

R(RMS)

Average Forward Current (CBR1)

Average Forward Current (CBR2)

Peak Forward Surge Current (CBR1)

Peak Forward Surge Current (CBR2)

1.5

2.0

FSM

Operating and Storage

Junction Temperature

T , T

-65 to +150

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =Rated V

MIN

MAX

UNITS

μA

RRM

(CBR1)

(CBR2)

I =1.0A

1.0

1.1

I =2.0A

R1 (31-July 2013)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CBR25-010LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 100V V(RRM), Silicon
CBR25-010P	CENTRAL	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIER
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