CBAT54C

更新时间： 2024-11-07 03:24:47

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CENTRAL		肖特基二极管
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2页	114K
描述
SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES

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CBAT54C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.22	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.005 µs
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

CBAT54C 数据手册

CBAT54

Central

CBAT54A

CBAT54C

CBAT54S

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

SURFACE MOUNT

SILICON SCHOTTKY DIODES

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBAT54

Series types are Silicon Schottky Diodes in an

SOT-23 Surface Mount Package.

SOT-23 CASE

CBAT54:

SINGLE

MARKING CODE: CL4

MARKING CODE: CL42

MARKING CODE: CL43

MARKING CODE: CL44

CBAT54A:

CBAT54C:

CBAT54S:

DUAL, COMMON ANODE

DUAL, COMMON CATHODE

DUAL, IN SERIES

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Continuous Reverse Voltage

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Forward Surge Current, tp=10ms

Power Dissipation

200

300

600

350

FRM

FSM

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

stg

-65 to +150

357

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX

UNITS

V =25V

2.0

240

320

400

500

800

µA

I =0.1mA

I =1.0mA

I =10mA

I =30mA

I =100mA

V =1.0V, f=1.0 MHz

I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω

5.0

R0 (13-January 2005)

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