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CBAS17

更新时间: 2024-11-19 22:28:23
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CENTRAL 半导体稳定二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
LOW VOLTAGE STABISTOR

CBAS17 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:STABISTOR DIODE
最大正向电压 (VF):0.96 V正向电压最小值(VF):0.87 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.35 W认证状态:Not Qualified
反向测试电压:4 V表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CBAS17 数据手册

 浏览型号CBAS17的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
CBAS17  
LOW VOLTAGE STABISTOR  
DESCRIPTION:  
TheCENTRALSEMICONDUCTORCBAS17  
type is a planar epitaxial silicon switching  
diode, designed for low voltage stabilizing  
applications.  
Marking code is A91.  
SOT-23 CASE  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
mA  
mW  
Peak Repetitive Forward Current  
Power Dissipation  
I
P
250  
350  
FRM  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
T ,T  
J stg  
JA  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
o
Θ
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
.580  
.665  
.725  
.750  
.870  
TYP MAX  
UNITS  
V
V
F
I =0.1mA  
.665  
.745  
.805  
.825  
.920  
.680  
.760  
.820  
.840  
.960  
5.0  
V
V
V
V
V
F
F
I =1.0mA  
F
V
V
F
I =5.0mA  
F
F
I =10mA  
F
V
I =100mA  
F
F
I
V =4.0V  
R
µA  
pF  
R
C
V =0, f=1 MHz  
140  
T
R
64  

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