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CAT28C65BHFN-12TE7

更新时间： 2024-10-28 19:20:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 78K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

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CAT28C65BHFN-12TE7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCJ,针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.02
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PQCC-J32
JESD-609代码：e0长度：13.97 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QCCJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.55 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：11.43 mmBase Number Matches：1

CAT28C65BHFN-12TE7 数据手册

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CAT28C65B  
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM  
FEATURES  
■ Fast read access times:  
■ Commercial, industrial and automotive  
– 90/120/150ns  
temperature ranges  
■ Low power CMOS dissipation:  
– Active: 25 mA max.  
■ Automatic page write operation:  
– 1 to 32 bytes in 5ms  
– Standby: 100 µA max.  
– Page load timer  
■ Simple write operation:  
■ End of write detection:  
– Toggle bit  
– On-chip address and data latches  
– Self-timed write cycle with auto-clear  
– DATA polling  
– RDY/BUSY  
■ Fast write cycle time:  
– 5ms max  
■ 100,000 program/erase cycles  
■ 100 year data retention  
■ CMOS and TTL compatible I/O  
■ Hardware and software write protection  
DESCRIPTION  
The CAT28C65B is a fast, low power, 5V-only CMOS  
parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a  
simple interface for in-system programming. On-chip  
address and data latches, self-timed write cycle with  
auto-clear and VCC power up/down write protection  
eliminate additional timing and protection hardware.  
DATA Polling, a RDY/BUSY pin and Toggle status bits  
signal the start and end of the self-timed write cycle.  
Additionally, the CAT28C65B features hardware and  
software write protection.  
The CAT28C65B is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-  
approved 28-pin DIP, 28-pin TSOP, 28-pin SOIC or 32-  
pin PLCC packages.  
BLOCK DIAGRAM  
8,192 x 8  
EEPROM  
ARRAY  
ROW  
DECODER  
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
5
12  
INADVERTENT  
WRITE  
PROTECTION  
HIGH VOLTAGE  
GENERATOR  
32 BYTE PAGE  
REGISTER  
V
CC  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
LOGIC  
I/O BUFFERS  
DATA POLLING,  
TOGGLE BIT &  
TIMER  
RDY/BUSY LOGIC  
I/O –I/O  
0
7
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
COLUMN  
DECODER  
0
4
RDY/BUSY  
© 2009 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1009, Rev. H  
1
1234567...13

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