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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 200 ns |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | EEPROM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 最高工作温度： | 105 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC32,.5X.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 页面大小： | 32 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.03 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 切换位： | YES |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 3 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CAT28C65BHFNI-12 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| CAT28C65BHFNI-12TE13 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C65BHFNI-12TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C65BHFNI-12TE7 | ONSEMI |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C65BHFNI-15 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| CAT28C65BHFNI-15TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C65BHFNI-15TE7 | CATALYST |
获取价格 |
8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C65BHFNI-20 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| CAT28C65BHFNI-20TE13 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
| CAT28C65BHFNI-20TE7 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
|
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