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CAT28C64BWI12 PDF预览

CAT28C64BWI12

更新时间： 2024-10-27 14:50:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 80K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, SOIC-28

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CAT28C64BWI12 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP28,.4
针数：28Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.01Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YES耐久性：100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e3
长度：17.9 mm内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：28字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
页面大小：32 words并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.0001 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
宽度：7.5 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

CAT28C64BWI12 数据手册

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CAT28C64B  
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM  
FEATURES  
■ Fast read access times:  
■ Commercial, industrial and automotive  
– 90/120/150ns  
temperature ranges  
■ Low power CMOS dissipation:  
– Active: 25 mA max.  
■ Automatic page write operation:  
– 1 to 32 bytes in 5ms  
– Standby: 100 µA max.  
– Page load timer  
■ Simple write operation:  
■ End of write detection:  
– Toggle bit  
– On-chip address and data latches  
– Self-timed write cycle with auto-clear  
– DATA polling  
■ Fast write cycle time:  
■ 100,000 program/erase cycles  
■ 100 year data retention  
– 5ms max.  
■ CMOS and TTL compatible I/O  
■ Hardware and software write protection  
DESCRIPTION  
The CAT28C64B is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-  
approved 28-pin DIP, TSOP, SOIC, or, 32-pin PLCC  
package .  
The CAT28C64B is a fast, low power, 5V-only CMOS  
Parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a  
simple interface for in-system programming. On-chip  
address and data latches, self-timed write cycle with  
auto-clear and VCC power up/down write protection  
eliminate additional timing and protection hardware.  
DATA Polling and Toggle status bits signal the start and  
end of the self-timed write cycle. Additionally, the  
CAT28C64B features hardware and software write  
protection.  
BLOCK DIAGRAM  
8,192 x 8  
EEPROM  
ARRAY  
ROW  
DECODER  
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
5
12  
INADVERTENT  
WRITE  
PROTECTION  
HIGH VOLTAGE  
GENERATOR  
32 BYTE PAGE  
REGISTER  
V
CC  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
LOGIC  
I/O BUFFERS  
DATA POLLING  
AND  
TIMER  
TOGGLE BIT  
I/O –I/O  
0
7
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
COLUMN  
DECODER  
0
4
© 2009 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1011, Rev. I  
1
1234567...13

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CAT28C64BWI12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AT28HC64B-12SU MICROCHIP

类似代替

 IC EEPROM 64KBIT 120NS 28SOIC
AT28HC64BF-12SU ATMEL

类似代替

 64K (8K x 8) High Speed Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection

与CAT28C64BWI12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C64BWI-12 CATALYST

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 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, SOIC-28
CAT28C64BWI-12T ONSEMI

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 		64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C64BWI-12T CATALYST

获取价格

 		64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C64BWI-12TE13 ONSEMI

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 		8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CAT28C64BWI-12TE13 CATALYST

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CAT28C64BWI-12TE7 CATALYST

获取价格

 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CAT28C64BWI-12TE7 ONSEMI

获取价格

 		8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CAT28C64BWI-15T ONSEMI

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 		64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C64BWI-15T CATALYST

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 		64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C64BWI-15TE13 ONSEMI

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 		8KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28

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