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CAT28C64BWI-12TE13

更新时间： 2024-11-20 19:08:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 74K
描述
8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28

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CAT28C64BWI-12TE13 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.01
最长访问时间：120 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e3长度：17.9 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.5 mmBase Number Matches：1

CAT28C64BWI-12TE13 数据手册

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CAT28C64B  
64K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM  
FEATURES  
■ Fast read access times:  
■ Commercial, industrial and automotive  
– 90/120/150ns  
temperature ranges  
■ Low power CMOS dissipation:  
– Active: 25 mA max.  
■ Automatic page write operation:  
– 1 to 32 bytes in 5ms  
– Standby: 100 µA max.  
– Page load timer  
■ Simple write operation:  
■ End of write detection:  
– Toggle bit  
– On-chip address and data latches  
– Self-timed write cycle with auto-clear  
– DATA polling  
■ Fast write cycle time:  
■ 100,000 program/erase cycles  
■ 100 year data retention  
– 5ms max.  
■ CMOS and TTL compatible I/O  
■ Hardware and software write protection  
DESCRIPTION  
The CAT28C64B is manufactured using Catalyst’s  
advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned  
to endure 100,000 program/erase cycles and has a data  
retentionof100years.ThedeviceisavailableinJEDEC-  
approved 28-pin DIP, TSOP, SOIC, or, 32-pin PLCC  
package .  
The CAT28C64B is a fast, low power, 5V-only CMOS  
Parallel EEPROM organized as 8K x 8-bits. It requires a  
simple interface for in-system programming. On-chip  
address and data latches, self-timed write cycle with  
auto-clear and VCC power up/down write protection  
eliminate additional timing and protection hardware.  
DATA Polling and Toggle status bits signal the start and  
end of the self-timed write cycle. Additionally, the  
CAT28C64B features hardware and software write  
protection.  
BLOCK DIAGRAM  
8,192 x 8  
EEPROM  
ARRAY  
ROW  
DECODER  
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
5
12  
INADVERTENT  
WRITE  
PROTECTION  
HIGH VOLTAGE  
GENERATOR  
32 BYTE PAGE  
REGISTER  
V
CC  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
LOGIC  
I/O BUFFERS  
DATA POLLING  
AND  
TIMER  
TOGGLE BIT  
I/O –I/O  
0
7
ADDR. BUFFER  
& LATCHES  
A –A  
COLUMN  
DECODER  
0
4
© 2009 SCILLC. All rights reserved.  
Characteristics subject to change without notice  
Doc. No. MD-1011, Rev. I  
1
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CAT28C64BWI-12TE7 CATALYST

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 		EEPROM, 8KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
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 		8KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28
CAT28C64BWI-15T ONSEMI

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