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CAT28C513T14A-12T

更新时间： 2024-10-28 20:00:51

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安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO40, 10 X 14 MM, TSOP-40

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CAT28C513T14A-12T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	40
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	120 ns
其他特性：	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS	数据保留时间-最小值：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	JESD-609代码：	e0
长度：	12.4 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	2A	功能数量：	1
端子数量：	40	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	105 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

CAT28C513T14A-12T 数据手册

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CAT28C512/513

512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

■ Fast Read Access Times: 120/150 ns

■ Automatic Page Write Operation:

–1 to 128 Bytes in 5ms

–Page Load Timer

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 50 mA Max.

–Standby: 200 µA Max.

■ End of Write Detection:

–Toggle Bit

■ Simple Write Operation:

–DATA Polling

–On-Chip Address and Data Latches

–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear

■ Hardware and Software Write Protection

■ 100,000 Program/Erase Cycles

■ 100 Year Data Retention

■ Fast Write Cycle Time:

–5ms Max

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

The CAT28C512/513 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 100 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin DIP, PLCC and TSOP packages.

TheCAT28C512/513isafast,lowpower,5V-onlyCMOS

parallel EEPROM organized as 64K x 8-bits. It requires

a simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling and Toggle status bits signal the start and

end of the self-timed write cycle. Additionally, the

CAT28C512/513 features hardware and software write

protection.

BLOCK DIAGRAM

65,536 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

128 BYTE PAGE

CONTROL

TIMER

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1007, Rev. I

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CAT28C513T14A15	CATALYST	获取价格	Memory IC
CAT28C513T14A15T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C513T14A-15T	ONSEMI	获取价格	IC 64K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO40, 10 X 14 MM, TSOP-40, Programmable ROM
CAT28C513T14A-15T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C513T14I12	CATALYST	获取价格	Memory IC
CAT28C513T14I12T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
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