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CAT28C513P-12

更新时间： 2024-10-28 20:00:51

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安森美 - ONSEMI		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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描述
64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

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CAT28C513P-12 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.18
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	10000 PROGRAM/ERASE CYCLES; DATA RETENTION = 100 YEARS
数据保留时间-最小值：	100	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	42.037 mm
内存密度：	524288 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

CAT28C513P-12 数据手册

CAT28C512/513

512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM

FEATURES

■ Fast Read Access Times: 120/150 ns

■ Automatic Page Write Operation:

–1 to 128 Bytes in 5ms

–Page Load Timer

■ Low Power CMOS Dissipation:

–Active: 50 mA Max.

–Standby: 200 µA Max.

■ End of Write Detection:

–Toggle Bit

■ Simple Write Operation:

–DATA Polling

–On-Chip Address and Data Latches

–Self-Timed Write Cycle with Auto-Clear

■ Hardware and Software Write Protection

■ 100,000 Program/Erase Cycles

■ 100 Year Data Retention

■ Fast Write Cycle Time:

–5ms Max

■ CMOS and TTL Compatible I/O

■ Commercial, Industrial and Automotive

Temperature Ranges

DESCRIPTION

The CAT28C512/513 is manufactured using Catalyst’s

advancedCMOSfloatinggatetechnology.Itisdesigned

to endure 100,000 program/erase cycles and has a data

retention of 100 years. The device is available in JEDEC

approved 32-pin DIP, PLCC and TSOP packages.

TheCAT28C512/513isafast,lowpower,5V-onlyCMOS

parallel EEPROM organized as 64K x 8-bits. It requires

a simple interface for in-system programming. On-chip

address and data latches, self-timed write cycle with

auto-clear and V_CCpower up/down write protection

eliminate additional timing and protection hardware.

DATA Polling and Toggle status bits signal the start and

end of the self-timed write cycle. Additionally, the

CAT28C512/513 features hardware and software write

protection.

BLOCK DIAGRAM

65,536 x 8

EEPROM

ARRAY

ROW

DECODER

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

INADVERTENT

WRITE

PROTECTION

HIGH VOLTAGE

GENERATOR

128 BYTE PAGE

CONTROL

TIMER

I/O BUFFERS

DATA POLLING

AND

TOGGLE BIT

I/O –I/O

ADDR. BUFFER

& LATCHES

A –A

COLUMN

DECODER

Characteristics subject to change without notice

Doc. No. MD-1007, Rev. I

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CAT28C513P-15	ONSEMI	获取价格	IC 64K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32, Programmable ROM
CAT28C513PA-12	ONSEMI	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
CAT28C513PA12T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C513PA-12T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C513PA-15	ONSEMI	获取价格	64KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
CAT28C513PA15T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C513PA-15T	CATALYST	获取价格	512K-Bit CMOS PARALLEL EEPROM
CAT28C513PA20	CATALYST	获取价格	Memory IC
CAT28C513PI-12	ONSEMI	获取价格	IC 64K X 8 EEPROM 5V, 120 ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32, Programmable ROM
CAT28C513PI-12	CATALYST	获取价格	EEPROM, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

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