是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFJ | 包装说明: | PLASTIC, LCC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.04 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 150 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PQCC-J32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 13.965 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | LDCC32,.5X.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | CHIP CARRIER |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.55 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 切换位: | YES |
宽度: | 11.425 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 5 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT28C256N-15T | CATALYST |
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256K-Bit Parallel EEPROM | |
CAT28C256N-15T | ONSEMI |
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256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256N-15TE13 | CATALYST |
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EEPROM, 32KX8, 150ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256N-15TE13 | ONSEMI |
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32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256N-15TE7 | ONSEMI |
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IC 32K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32, Programmable ROM | |
CAT28C256N-20 | ONSEMI |
获取价格 |
256 kb Parallel EEPROM | |
CAT28C256N-20 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256N-20TE13 | ONSEMI |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 200ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CAT28C256N-20-TE13 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
CAT28C256N-20TE7 | CATALYST |
获取价格 |
EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |