是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | LEAD AND HALOGEN FREE, SOIC-16 |
针数: | 16 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.13 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 10.3 mm |
内存密度: | 256 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 64 words | 字数代码: | 64 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64X4 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP16,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大待机电流: | 0.00003 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CAT22C10WI-20 | ONSEMI |
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64X4 NON-VOLATILE SRAM, 200ns, PDSO16, LEAD AND HALOGEN FREE, SOIC-16 | |
CAT22C10WI-20T1 | ONSEMI |
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IC 64 X 4 NON-VOLATILE SRAM, 200 ns, PDSO16, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-16, Static RAM | |
CAT22C10WI-20-T1 | ONSEMI |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10WI-20TE13 | CATALYST |
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Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDSO16, LEAD AND HALOGEN FREE, SOIC-16 | |
CAT22C10WI-20-TE13 | CATALYST |
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256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM | |
CAT22C10WI-20TE7 | CATALYST |
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Non-Volatile SRAM, 64X4, 200ns, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, SOIC-16 | |
CAT22C10WI-20TE7 | ONSEMI |
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64X4 NON-VOLATILE SRAM, 200ns, PDSO16, 0.300 INCH, SOIC-16 | |
CAT22C10WI-30T1 | CATALYST |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 64X4, 300ns, CMOS, PDSO16, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-16 | |
CAT22C10WI-30T1 | ONSEMI |
获取价格 |
IC 64 X 4 NON-VOLATILE SRAM, 300 ns, PDSO16, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-16, Static RAM | |
CAT22C10WI-30-T1 | ONSEMI |
获取价格 |
256-Bit Nonvolatile CMOS Static RAM |