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CA3146AM

更新时间： 2024-01-02 02:41:18
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 124K
描述
High-Voltage Transistor Arrays

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CA3146AM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.7其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：MS-012AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e0
元件数量：5端子数量：14
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHzBase Number Matches：1

CA3146AM 数据手册

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CA3146, CA3146A, CA3183, CA3183A  
Typical Performance Curves Dynamic Characteristics (For Any Transistor) - CA3146 Series (Continued)  
o
V
= 5V  
T
= 25 C  
CE  
= 25 C  
A
o
T
A
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
4
3
2
1
0
C
C
CI  
C
EB  
5
CB  
0
1
2
3
4
6
7
8
9
10 11 12 13 14  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14  
BIAS VOLTAGE (V)  
COLLECTOR CURRENT (mA)  
FIGURE 17. f vs I  
FIGURE 18. C , C , C vs BIAS VOLTAGE  
EB CB CI  
T
C
Typical Performance Curves DC Characteristics - CA3183 Series  
-1  
10  
V
= 10V  
CE  
1
-1  
-2  
V
= 10V  
CB  
10  
10  
-2  
-3  
-4  
10  
10  
10  
-3  
-4  
10  
10  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
o
o
TEMPERATURE ( C)  
TEMPERATURE ( C)  
FIGURE 19. I  
vs TEMPERATURE FOR ANY TRANSISTOR  
FIGURE 20. I  
vs TEMPERATURE FOR ANY TRANSISTOR  
CEO  
CBO  
o
V
= 3V  
T
= 25 C  
CE  
A
100  
90  
V
= 10V  
CE  
125  
100  
80  
70  
75  
50  
I
= 0.1mA  
C
V
= 3V  
CE  
I
= 1mA  
C
60  
50  
I
= 10mA  
C
25  
0
40  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
0.1  
1.0  
10  
o
TEMPERATURE ( C)  
COLLECTOR CURRENT (mA)  
FIGURE 21. h vs TEMPERATURE FOR ANY TRANSISTOR  
FE  
FIGURE 22. h vs I FOR ANY TRANSISTOR  
FE  
C
7
1...45678910...12

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