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CA3146AM

更新时间： 2024-02-17 15:51:32
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 124K
描述
High-Voltage Transistor Arrays

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CA3146AM 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.7其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：MS-012AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e0
元件数量：5端子数量：14
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHzBase Number Matches：1

CA3146AM 数据手册

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CA3146, CA3146A, CA3183, CA3183A  
Electrical Specifications CA3183 Series (Continued)  
TEST CONDITIONS  
TYPICAL  
PERF.  
CA3183  
CA3183A  
CURVE  
FIG. NO.  
o
PARAMETER  
SYMBOL  
T
= 25 C  
MIN  
-
TYP  
MAX  
MIN  
-
TYP  
MAX  
UNITS  
A
Collector-Cutoff Current  
I
V
V
V
V
= 10V, I = 0  
20  
21, 22  
-
-
-
1
-
-
-
1
-
µA  
-
CBO  
CB  
CE  
CE  
CE  
E
DC Forward-Current  
Transfer Ratio  
h
= 3V, I = 10mA  
40  
40  
0.65  
-
40  
40  
0.65  
-
FE  
C
= 5V, I = 50mA  
-
-
-
-
-
C
Base-to-Emitter Voltage  
V
= 3V, I = 10mA  
23  
0.75  
1.7  
0.85  
3.0  
0.75  
1.7  
0.85  
3.0  
V
V
BE  
C
Collector-to-Emitter  
Saturation Voltage  
V
I
= 50mA, I = 5mA  
24  
CE SAT  
(Note 3)  
C
B
FOR TRANSISTORS Q AND Q (AS A DIFFERENTIAL AMPLIFIER)  
1
2
Absolute Input Offset  
Voltage  
|V  
|
V
= 3V, I = 1mA  
25  
26  
-
-
0.47  
0.78  
5
-
-
0.47  
0.78  
5
mV  
IO  
CE  
C
Absolute Input Offset  
Current  
|I  
|
V
= 3V, I = 1mA  
2.5  
2.5  
µA  
IO  
CE  
C
Typical Performance Curves DC Characteristics - CA3146 Series  
3
2
10  
10  
I
= 0  
B
I
= 0  
2
E
10  
10  
V
= 10V  
CE  
V
= 15  
10  
CB  
1
V
= 5V  
CE  
1
-1  
10  
10  
10  
10  
V
= 10  
CB  
-1  
-2  
-3  
-4  
10  
V
= 5  
CB  
-2  
10  
10  
-3  
0
25  
50  
75  
100  
125  
0
25  
50  
75  
o
100  
125  
o
TEMPERATURE ( C)  
TEMPERATURE ( C)  
FIGURE 1. I  
vs TEMPERATURE FOR ANY TRANSISTOR  
FIGURE 2. I  
vs TEMPERATURE FOR ANY TRANSISTOR  
CEO  
CBO  
V
= 5V  
160  
140  
120  
100  
CE  
V
= 5V  
CE  
o
T
= 125 C  
A
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
I
= 3mA  
E
o
25 C  
80  
60  
I
= 1mA  
E
o
-55 C  
40  
20  
0.4  
-75  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
o
100 125  
0.01  
0.1  
1
10  
TEMPERATURE ( C)  
COLLECTOR CURRENT (mA)  
FIGURE 3. h vs I FOR ANY TRANSISTOR  
FE  
FIGURE 4. V  
vs TEMPERATURE FOR ANY TRANSISTOR  
BE  
C
4
1234567...12

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