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CA3146AM

更新时间： 2024-01-11 14:57:48

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英特矽尔 - INTERSIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	124K
描述
High-Voltage Transistor Arrays

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CA3146AM 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.7	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	COMPLEX	最小直流电流增益 (hFE)：	30
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	MS-012AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G14	JESD-609代码：	e0
元件数量：	5	端子数量：	14
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	500 MHz	Base Number Matches：	1

CA3146AM 数据手册

CA3146, CA3146A, CA3183, CA3183A

Typical Performance Curves DC Characteristics - CA3146 Series (Continued)

= 25 C

= 5V

1.50

= 10mA

1.25

1.0

= 10

0.75

0.50

0.25

I = 1mA

0.75

0.50

= 0.1mA

0.25

-75

-50

-25

100 125

TEMPERATURE ( C)

COLLECTOR CURRENT (mA)

FIGURE 5. V

vs I FOR ANY TRANSISTOR

FIGURE 6. V vs TEMPERATURE FOR Q AND Q

IO 2

CE SAT

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

1.0

= 5V

= 25 C

0.1

- V |

BE2

BE1

0.01

0.1

1.0

0.01

0.1

1.0

COLLECTOR CURRENT (mA)

EMITTER CURRENT (mA)

FIGURE 7. V

AND V vs I FOR Q AND Q

FIGURE 8. I vs I FOR Q AND Q

IO 2

Typical Performance Curves Dynamic Characteristics (For Any Transistor) - CA3146 Series

= 5V

= 500Ω

= 25 C

= 1000Ω

= 25 C

f = 0.1kHz

f = 1kHz

f = 0.1kHz

f = 1kHz

f = 10kHz

0.01

0.1

COLLECTOR CURRENT (mA)

1.0

0.01

0.1

COLLECTOR CURRENT (mA)

1.0

FIGURE 9. NF vs I AT R = 500Ω

FIGURE 10. NF vs I AT R = 1kΩ

C S

1 2 3 456 7 8...12

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