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C67076-A2506-A67

更新时间： 2024-01-31 09:16:44

品牌	Logo	应用领域
EUPEC		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	271K
描述
IGBT Power Module

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C67076-A2506-A67 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X17
元件数量：	6	端子数量：	17
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	400 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

C67076-A2506-A67 数据手册

BSM 35 GD 120 DN2

IGBT Power Module

• Power module

• 3-phase full-bridge

• Including fast free-wheel diodes

• Package with insulated metal base plate

Type

Package

Ordering Code

BSM 35 GD 120 DN2

BSM35GD120DN2E3224

1200V 50A

ECONOPACK 2

ECONOPACK 2K

C67076-A2506-A67

C67070-A2506-A67

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

1200

CGR

= 20 k

1200

± 20

Gate-emitter voltage

DC collector current

T = 25 °C

T = 80 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

100

T = 80 °C

Power dissipation per IGBT

tot

T = 25 °C

280

Chip temperature

+ 150

°C

Storage temperature

-40 ... + 125

stg

Thermal resistance, chip case

Diode thermal resistance, chip case

Insulation test voltage, t = 1min.

Creepage distance

0.44

K/W

thJC

£ 0.8

2500

Vac

Clearance

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

sec

40 / 125 / 56

Oct-20-1997

12 3 4 5 6 7...10

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