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C67078-A1401-A2

更新时间： 2024-01-27 06:19:22

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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描述
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)

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C67078-A1401-A2 数据手册

SIPMOS^®Power Transistor

BUZ 205

● N channel

● Enhancement mode

● FREDFET

Type

V_DS

I_D

R_{DS (on)}

Package¹⁾

Ordering Code

BUZ 205

400 V

6.0 A

1.0 Ω

TO-220 AB

C67078-A1401-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

I_D

Values

Unit

Continuous drain current, T_C= 35 ˚C

Pulsed drain current, T_C= 25 ˚C

Drain-source voltage

6.0

I_{D puls}

V_DS

400

Drain-gate voltage, R_GS= 20 kΩ

Gate-source voltage

V_DGR

V_GS

400

± 20

Power dissipation, T_C= 25 ˚C

P_tot

Operating and storage temperature range

T_j, T_stg

– 55 ... + 150

˚C

Thermal resistance, chip-case

R_{th JC}

≤ 1.67

K/W

–

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

55/150/56

1) See chapter Package Outlines.

Semiconductor Group

508

12 3 4 5 6

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