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C2611

更新时间： 2024-11-08 12:55:39

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描述
TRANSISTOR (NPN)

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C2611 数据手册

RoHS

C2611

C 2611

TRANSISTOR (NPN)

TO-251

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

W (Tamb=25℃)

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Collector current

I_CM:

Collector-base voltage

V_(BR)CBO600

0.2

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 100µA, I_E=0

MIN

600

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= 1mA , I_B=0

I_E= 100µA, I_C=0

V_CB= 600V, I_E=0

100

200

100

µA

I_CEO

V_CE= 400V, I_B=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= 7V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE= 20V, I_C= 20mA

V_CE= 10V, I_C= 0.25 mA

I_C= 50mA, I_B= 10 mA

I_C= 50 mA, I_B= 10mA

DC current gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.5

1.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE= 20 V, I_C=20mA

f = 1MHz

MHz

µs

Transition frequency

Fall time

f _T

I_C=50mA,

0.3

t _f

I_B1=-I_B2=5mA,

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

1.5

µs

Storage time

t _S

V_CC=45V

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

10-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

Range

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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