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C106M2 PDF预览

C106M2

更新时间： 2024-02-13 16:34:36
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 可控硅
页数 文件大小 规格书
2页 253K
描述
SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIER 4 AMP, 200 THRU 600 VOLTS

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C106M2 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.79
JESD-609代码：e0峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

C106M2 数据手册

 浏览型号C106M2的Datasheet PDF文件第2页 
C106B2  
C106D2  
C106M2  
www.centralsemi.com  
SENSITIVE GATE  
SILICON CONTROLLED RECTIFIER  
4 AMP, 200 THRU 600 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR C106B2 Series  
types are 4.0A, PNPN sensitive gate triggering silicon  
controlled rectifiers with voltages ranging from 200V  
to 600V. These devices are designed for applications  
such as temperature, light and speed control, and  
remote warning and triggering applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-202-2 THYRISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
, V  
C106B2 C106D2 C106M2  
UNITS  
V
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
200  
400  
600  
DRM RRM  
RMS On-State Current (T =85°C)  
C
Peak One Cycle Surge Current, t=8.3ms  
I2t Value for Fusing  
I
4.0  
A
A
A2s  
T(RMS)  
I
20  
1.65  
TSM  
I2t  
Peak Gate Power Dissipation (T =80°C)  
P
0.5  
W
C
GM  
Average Gate Power Dissipation (T =80°C)  
P
0.1  
W
C
G(AV)  
Peak Forward Gate Current (T =80°C)  
I
0.2  
A
C
GFM  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance  
T
-40 to +110  
-40 to +150  
7.5  
°C  
J
T
°C  
stg  
Θ
°C/W  
°C/W  
JC  
JA  
Thermal Resistance  
Θ
80  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
J
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
, I  
Rated V  
, V  
, R =1.0KΩ  
10  
μA  
DRM RRM  
DRM RRM GK  
I
, I  
DRM RRM  
Rated V  
, V , R =1.0KΩ, T =110°C  
100  
2.2  
200  
500  
0.8  
1.0  
3.0  
6.0  
2.0  
5.0  
7.0  
μA  
V
DRM RRM GK  
J
V
I =4.0A  
T
TM  
I
I
V =6.0V, R =100Ω  
μA  
μA  
V
GT  
D
L
V =6.0V, R =100Ω, T =–40°C  
GT  
D
L
J
V
V
I
V =6.0V, R =100Ω  
0.4  
0.5  
D
L
GT  
GT  
V =6.0V, R =100Ω, T =–40°C  
V
D
L
J
V =12V  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
V/μs  
D
H
I
I
I
I
V =12V, T =–40°C  
D
J
H
V =12V, T =110°C  
D
H
L
L
J
V =12V  
D
V =12V, T =–40°C  
D
J
dv/dt  
V =Rated V  
, R =1.0KΩ, T =110°C  
DRM GK  
8.0  
D
J
R0 (15-February 2011)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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