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C106Q-3

更新时间： 2024-01-24 09:30:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	168K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 15V V(DRM), 15V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLASTIC PACKAGE-2

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C106Q-3 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
外壳连接：	ANODE	标称电路换相断开时间：	40 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	3 mA
JEDEC-95代码：	TO-202	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	110 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	4 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	15 V	重复峰值反向电压：	15 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

C106Q-3 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
C106Q4	NJSEMI	The Type C106 Silicon Controlled Rectifier	获取价格
C106Q-AY	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 15V V(DRM), 15V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLAST	获取价格
C106Q-BY	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 15V V(DRM), 15V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLAST	获取价格
C106Q-YB	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 15V V(DRM), 15V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLAST	获取价格
C106Q-YC	NEC	Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 15V V(DRM), 15V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLAST	获取价格
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