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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.59 | 外壳连接： | ANODE |
| 标称电路换相断开时间： | 40 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 3 mA | JEDEC-95代码： | TO-225AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 110 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 4 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA | 断态重复峰值电压： | 600 V |
| 重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C106M3 | NJSEMI |
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The Type C106 Silicon Controlled Rectifier |
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| C106M4 | NJSEMI |
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The Type C106 Silicon Controlled Rectifier |
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| C106M-600V | TGS |
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Thyristors logic level |
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| C106M-BY | NEC |
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Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202, PLA |
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| C106MG | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
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| C106MG | LITTELFUSE |
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灵敏栅极硅控整流器是一款玻璃化PNPN设备，专为高容量消费应用设计，例如温度；光和速度控制 |
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| C106N | GE |
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4-A Sensitive-Gate Silicon Controlled Rectifiers |
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| C106N1 | NJSEMI |
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Thyristor SCR 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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| C106Q | DIGITRON |
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Silicon Controlled Rectifier; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 15; Max TMS Bridge Inpu |
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| C106Q | NJSEMI |
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Thyristor SCR 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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