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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 集电极-发射极最大电压： | 1350 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-XUUC-N7 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C-IXSD40N60 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXSD40N60A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXSD45N100 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXSD45N120 | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXSD50N60A | IXYS |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| C-IXTD01N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 80ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| C-IXTD10N100 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1000V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| C-IXTD10N90-L | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| C-IXTD11N80 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
|
| C-IXTD11P50 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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