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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 300 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUUC-N2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | UNCASED CHIP | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C-IXTD40N30 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 300V, 0.088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| C-IXTD42N20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| C-IXTD50N20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| C-IXTD58N50 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
|
| C-IXTD67N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| C-IXTD6N80 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| C-IXTD75N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| C-IXTD7P50 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| CJ | RCD |
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Custom Design SIP or DIP Network |
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| CJ | TXC |
获取价格 |
TXC 为工业、网络和电信等不同应用提供高性能压控晶体振盪器 (VCXO)。 TXC 的 |
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