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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | UNCASED CHIP, R-XUUC-N10 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏源导通电阻： | 0.085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XUUC-N10 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 10 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| C-IXTD67N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide |
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| C-IXTD6N80 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 800V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| C-IXTD75N10 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S |
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| C-IXTD7P50 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 500V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| CJ | RCD |
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Custom Design SIP or DIP Network |
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| CJ | TXC |
获取价格 |
TXC 为工业、网络和电信等不同应用提供高性能压控晶体振盪器 (VCXO)。 TXC 的 |
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| CJ001003DB | AAC |
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Thick Film Chip Resistors |
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| CJ001003DK | AAC |
获取价格 |
Thick Film Chip Resistors |
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| CJ001003DM | AAC |
获取价格 |
Thick Film Chip Resistors |
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| CJ001003DO | AAC |
获取价格 |
Thick Film Chip Resistors |
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