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BZX85B16-TAP

更新时间: 2024-11-04 12:58:03
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威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 48K
描述
Zener Diode, 16V V(Z), 2%, 1.3W,

BZX85B16-TAP 数据手册

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BZX85B...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Sharp edge in reverse characteristics  
Low reverse current  
Low noise  
Very high stability  
Applications  
94 9369  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Test Conditions  
l=4mm, T =25 C  
Type  
Symbol  
Value  
1.3  
Unit  
W
P
V
L
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
T
stg  
175  
–65...+175  
C
C
j
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
110  
Unit  
K/W  
l=4mm, T =constant  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Test Conditions  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
Forward voltage  
I =200mA  
F
V
F
1
V
Document Number 85607  
Rev. 3, 01-Apr-99  
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
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