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BZX85B18

更新时间： 2024-11-04 00:01:27

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威世 - VISHAY		二极管
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6页	48K
描述
Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes

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BZX85B18 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.47	其他特性：	LOW NOISE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.3 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	18 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	2%
工作测试电流：	15 mA

BZX85B18 数据手册

BZX85B...

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Sharp edge in reverse characteristics

Low reverse current

Low noise

Very high stability

Applications

94 9369

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Power dissipation

Test Conditions

l=4mm, T =25 C

Type

Symbol

Value

1.3

Unit

Junction temperature

Storage temperature range

stg

175

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

Symbol

thJA

Value

110

Unit

K/W

l=4mm, T =constant

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

Forward voltage

I =200mA

Document Number 85607

Rev. 3, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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